Infineon
IRLML6402SMD - Abbildung INTERNATIONAL RECTIFIER MAXIM VISHAY Diode Peripheriebaustein Transistor (1)
IRLML6402SMD - Technische Zeichnung INTERNATIONAL RECTIFIER MAXIM VISHAY Diode Peripheriebaustein Transistor (1)

IRLML6402TRPBF

International Rectifier SMD P-LogL Leistungs-MOSFET 20 V 3,7 A 1,3 W SOT 23

EVE Artikelbezeichnung:
IRLML6402SMD
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Technische Daten:

Anschluss
SMT
Art
Leistungs-MOSFET
Bauform
SOT 23
Betriebstemperatur
-55 °C - 150 °C
Drain-Source-Durchflusswiderstand
0,065 Ω
Drain-Source-Spannung
20 V
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  • MBM: 1.000 Stück und Vielfache
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  • VPE: 3.000 Stück
  • MBM: 3.000 Stück und nur volle VE
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  • VPE: 3.000 Stück
  • MBM: 3.000 Stück und nur volle VE
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  • VPE: 3.000 Stück
  • MBM: 3.000 Stück und nur volle VE
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